存儲技術(shù)
提供全球最前沿存儲技術(shù),云存儲技術(shù)、快速存儲技術(shù)、虛擬存儲技術(shù)、存儲解決方案、與英特爾快速存儲技術(shù)等存儲技術(shù)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點(diǎn)。
風(fēng)景獨好？12層HBM3E量產(chǎn)，16層HBM3E在研，產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）在早前的報道中，對于HBM產(chǎn)能是否即將過(guò)剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲芯片廠(chǎng)商對HBM產(chǎn)品升級的步伐。 ? 三大廠(chǎng)商12 層HBM3E 進(jìn)展 ? 9月26日SK海力士...
存儲產(chǎn)業(yè)“寒冬將至”？供求過(guò)剩將延續至2026年
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）存儲器產(chǎn)業(yè)的周期性是半導體行業(yè)內一個(gè)顯著(zhù)的特點(diǎn)，不過(guò)相比半導體中其他元器件，存儲器的周期性波動(dòng)往往更大。通常一個(gè)完整周期在2至3年不等，主要受...
【圖文】存儲設備 |ICY DOCK 三款高效NVMe PCIe轉接卡
如今，PCIeNVMe接口已經(jīng)變得如此普遍，以至于當談到SSD存儲時(shí)，人們就會(huì )想到M.2。不僅安裝方便、占用空間小，而且利用PCIe接口提供數十倍于SATASSD的性能。令人失望的一件事是NVMeSSD不容易頻繁...
利用尖端HBM4技術(shù)加速人工智能發(fā)展
人工智能（AI）與機器學(xué)習（ML）正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展，驅動(dòng)著(zhù)各行各業(yè)的革新。隨著(zhù)模型復雜度與數據量的激增，實(shí)時(shí)處理海量數據的需求對底層硬件基礎設施，尤其是內存系統，提...
三星電子或2026年將HBM4基底技術(shù)生產(chǎn)外包給臺積電
據媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術(shù)的生產(chǎn)外包給臺積電，并計劃采用12nm至6nm的先進(jìn)制程技術(shù)。同時(shí)，展望未來(lái)五年，該領(lǐng)域有望實(shí)現15%至...
SK海力士HBM生產(chǎn)效率驚人,或引領(lǐng)存儲器市場(chǎng)格局轉變
在9月25日（當地時(shí)間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會(huì )議中心舉行的一場(chǎng)半導體行業(yè)盛會(huì )上，SK海力士發(fā)布的一項關(guān)于其高帶寬內存（HBM）的驚人數據——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關(guān)注。這一數據...
SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導體
隨著(zhù)三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務(wù)報告，市場(chǎng)焦點(diǎn)轉向了其與SK海力士之間營(yíng)業(yè)利潤的預期差距如何進(jìn)一步拉大。 SK海力士因在高帶寬內存（HBM）領(lǐng)域的強勁表現，預計將迎...
微星推出首款磁吸式移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)
10月8日，微星公司正式推出了其首款磁吸式移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)——DATAMAG 20Gbps，該硬盤(pán)的最大存儲容量高達4TB。 在設計上，DATAMAG 20Gbps獨具匠心地將曲邊八邊形的美學(xué)元素與實(shí)用的掛繩孔設計...
2024-10-08 標簽：存儲微星固態(tài)硬盤(pán) 230
得瑞領(lǐng)新將展示其企業(yè)級NVMe SSD產(chǎn)品及存儲解決方案
第12屆中國移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì )將于2024年10月11日至13日在廣州保利世貿博覽館隆重召開(kāi)，大會(huì )主題為“智煥新生 共創(chuàng )AI+時(shí)代”，旨在匯聚全球頂尖企業(yè)與技術(shù)精英，深入探索AI、大數據、5G等...
2024-10-08 標簽：AI大數據得瑞領(lǐng)新 279
鐵威馬NAS新品F8 SSD Plus上市
國慶小長(cháng)假將至，這不僅是逃離日?，嵤?、探索新奇世界的絕佳時(shí)機，也是面臨數字資產(chǎn)管理挑戰的時(shí)刻。隨著(zhù)高清圖片、4K視頻及大型游戲文件等數字資產(chǎn)的快速增長(cháng)，如何高效且安全地管理...
2024-09-30 標簽：SSDNAS網(wǎng)絡(luò )存儲鐵威馬 587
三星電子發(fā)布最新固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品990 EVO Plus
9月26日，三星電子震撼發(fā)布了其旗艦級固態(tài)硬盤(pán)新品——990 EVO Plus，該產(chǎn)品標志著(zhù)存儲技術(shù)的新里程碑。融合了三星自研的第8代V-NAND尖端技術(shù)與突破性的5納米主控芯片，990 EVO Plus在性能與效率...
2024-09-26 標簽：三星電子存儲固態(tài)硬盤(pán) 775
SK海力士引領(lǐng)未來(lái):全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日，半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑，該公司已成功在全球范圍內率先實(shí)現12層HBM3E芯片的規?；a(chǎn)，此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度...
HBM需求強勁,美光科技預測第一財季營(yíng)收將超87億美元
美光科技在盤(pán)后交易中股價(jià)飆升約14%，這一顯著(zhù)漲幅源自其發(fā)布的樂(lè )觀(guān)第一財季營(yíng)收預測，背后驅動(dòng)力在于人工智能（AI）計算領(lǐng)域對內存芯片，尤其是高帶寬內存（HBM）的強勁需求。作為HBM市...
今日看點(diǎn)丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量；SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3
1. 臺積電2nm 小規模試產(chǎn) ? 臺積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝，日本SMC社長(cháng)高田芳樹(shù)近日表示，臺積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線(xiàn)上采用SMC的水冷式冷卻器進(jìn)行小規模生產(chǎn)。 ? SMC宣布，該公司已向臺積...
鐵威馬NAS新品發(fā)布:存儲升級新紀元,全面革新存儲體驗
今年，NAS市場(chǎng)迎來(lái)了前所未有的活力，各大品牌競相推出新品，評價(jià)雖多元，但無(wú)疑彰顯了數據存儲領(lǐng)域日益增長(cháng)的關(guān)注與重要性。在此背景下，鐵威馬（TerraMaster），作為存儲解決方案領(lǐng)域...
創(chuàng )見(jiàn)資訊發(fā)布工業(yè)級PCIe M.2 22110固態(tài)硬盤(pán)MTE730P
9月23日最新消息，領(lǐng)先的存儲模組制造商創(chuàng )見(jiàn)資訊（Transcend Information）于本月19日正式推出了其首款專(zhuān)為工業(yè)應用設計的PCIe M.2 22110固態(tài)硬盤(pán)——MTE730P。這款SSD以其卓越的寬溫工作能力（-40℃至...
2024-09-23 標簽：存儲PCIe固態(tài)硬盤(pán) 427
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數據存儲新紀元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項前沿技術(shù)突破，標志著(zhù)數據存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構的QLC V-NAND，通過(guò)創(chuàng )新...
構建智能安全出行體驗，存儲在OTA中扮演什么角色？
近年來(lái)，隨著(zhù)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)加速向智能化與電氣化轉型升級，智能化的駕乘體驗已經(jīng)成為車(chē)輛標配。從智能駕駛到智能座艙，再到智能泊車(chē)輔助、座艙溫度調節、車(chē)機定時(shí)充電以及全景影像等諸多“...
HBM4到來(lái)前夕，HBM熱出現兩極分化
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲器HBM由于生成式AI的到來(lái)而異軍突起，成為AI訓練不可或缺的存儲產(chǎn)品。三大HBM廠(chǎng)商SK海力士、三星電子、美光科技也因HBM的供應迎來(lái)了業(yè)績(jì)的高增長(cháng)...
2024-09-23 標簽：HBM 2393
簡(jiǎn)述HBM技術(shù)的重要性
眾所周知，數據處理需求呈指數級增長(cháng)，芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內存（HBM）以其開(kāi)創(chuàng )性的內存堆疊技術(shù)獨占鰲頭，導致其容量需求激增；而傳統內存架構在應對此類(lèi)高性...
長(cháng)江存儲使用國產(chǎn)設備制造出3D NAND閃存芯片
9月20日最新資訊指出，長(cháng)江存儲面對美國出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰，展現出了強大的自主創(chuàng )新能力，成功引入國產(chǎn)半導體設備以部分替代原有美系設備，實(shí)現了供應鏈的自立自強。...
2024-09-20 標簽：3DNAND閃存長(cháng)江存儲 1972
三星調整晶圓代工策略，聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調整了其晶圓代工產(chǎn)能擴充計劃，決定暫緩平澤P4工廠(chǎng)的進(jìn)一步擴建，轉而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲器（HBM）的生產(chǎn)上。這一戰略調整反映了三星對當前市場(chǎng)需求的精準把握...
江波龍主控芯片破千萬(wàn)導入,車(chē)規級存儲市場(chǎng)迎新機遇
9月19日，江波龍電子在最新機構調研中分享了其在主控芯片領(lǐng)域的顯著(zhù)進(jìn)展。公司自主研發(fā)的WM6000與WM5000兩款主控芯片已成功實(shí)現批量出貨，并順利完成了超過(guò)千萬(wàn)顆的規?；a(chǎn)品導入，標志著(zhù)...
北京君正首顆 21nm DRAM下半年推出，三大存儲類(lèi)芯片持續研發(fā)，待行業(yè)市場(chǎng)復蘇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）2024年上半年，北京君正實(shí)現營(yíng)業(yè)收入 210,684.96萬(wàn)元，同比下降5.15%，實(shí)現歸屬于上市公司股東的凈利潤 19,749.34 萬(wàn)元，同比下降 11.1%，其中 2024 年第一季度公司實(shí)...
第二季度全球NAND閃存平均漲價(jià)15％
2024年第二季度，全球NAND閃存市場(chǎng)迎來(lái)價(jià)格顯著(zhù)上漲的行情，平均售價(jià)攀升了15%，反映出市場(chǎng)需求持續旺盛與供應端的緊張態(tài)勢。然而，與此同時(shí)，NAND閃存的出貨量卻出現小幅下滑，環(huán)比下降...
顯存技術(shù)不斷升級，AI計算中如何選擇合適的顯存
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）顯存，是顯卡上用于存儲圖像數據、紋理、幀緩沖區等的內存。它的大小直接決定了顯卡能夠同時(shí)處理的數據量。 ? 在A(yíng)I計算中，顯存的大小對處理大規模數據...
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